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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件、显示面板及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311154006.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体器件、显示面板及芯片是由赵慧慧;张春鹏;艾飞;袁剑峰;李治福设计研发完成，并于2023-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、显示面板及芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件、显示面板及芯片，本申请实施例的半导体器件采用第一导体部、沟道部和第二导体部堆叠以形成垂直型的有源结构层，实现窄沟道；且设置沟道部的晶粒的生长方向与载流子的移动一致，可以实现类单晶沟道的结构，从而提高了载流子的迁移率。

本发明授权半导体器件、显示面板及芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括: 基板；以及 至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上；所述薄膜晶体管包括： 有源结构层，所述有源结构层设置在所述基板上，所述有源结构层包括第一导体部、沟道部和第二导体部，所述第一导体部设置在所述基板上，所述沟道部设置在所述第一导体部远离所述基板的一侧上，所述第二导体部设置在所述沟道部远离所述基板的一侧上； 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述有源结构层和所述基板； 栅极，包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述有源结构层的一侧，所述第二栅极位于所述有源结构层另一侧，在平行于所述基板延展方向上，所述栅极至少与所述沟道部的侧面重叠设置；以及 第一电极和第二电极，所述第一电极连接于所述第一导体部，所述第二电极连接于所述第二导体部； 其中，所述沟道部的材料为多晶硅，所述多晶硅的晶粒的生长方向与载流子的移动方向一致； 所述有源结构层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述第一栅极覆盖在所述第一绝缘层正对所述第一侧面的一侧上，所述第二栅极覆盖在所述第一绝缘层正对所述第二侧面的一侧上，所述第一绝缘层包括顶部，所述顶部覆盖在所述有源结构层远离所述基板的一侧； 在俯视视角下的所述半导体器件中，所述第一栅极和所述第二栅极之间形成有镂空区，所述镂空区与所述第二导体部重叠设置；在所述半导体器件的正投影方向上，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述顶部远离所述基板的一面齐平。

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