荣芯半导体(宁波)有限公司杨萱获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利沟槽型MIM电容的测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223664757U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422997326.8，技术领域涉及：G01R31/64；该实用新型沟槽型MIM电容的测试结构是由杨萱;高俊九设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型MIM电容的测试结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种沟槽型MIM电容的测试结构。该测试结构中，第一介质层位于底部金属层上；第一沟槽贯穿第一介质层且与底部金属层的至少部分金属位置对应；第一下极板位于第一介质层上，覆盖第一沟槽的内表面且覆盖第一沟槽两侧的部分第一介质层；第一隔离层位于第一下极板上；第一上极板中，第一部分覆盖第一沟槽内的第一隔离层且覆盖第一沟槽两侧的部分第一隔离层，第二部分位于第一沟槽的侧边且覆盖第一介质层的非沟槽区域上方的部分第一隔离层。这样通过对第二部分和第一下极板间施加电压并测试电流，可以获得对应电容的平面区域的漏电情况，再结合对应电容原本的漏电流测试，可以判断电容沟槽区域是否存在漏电。
本实用新型沟槽型MIM电容的测试结构在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MIM电容的测试结构，其特征在于，包括： 第一介质层，位于底部金属层上； 第一沟槽，贯穿所述第一介质层且与所述底部金属层的至少部分金属位置对应； 第一下极板，位于所述第一介质层上，覆盖所述第一沟槽的内表面且延伸覆盖所述第一沟槽两侧的部分所述第一介质层，并与所述底部金属层电连接； 第一隔离层，位于所述第一下极板上且覆盖所述第一下极板；以及 第一上极板，包括间隔的第一部分和第二部分，所述第一部分填充所述第一沟槽，覆盖所述第一沟槽内的第一隔离层且延伸覆盖所述第一沟槽两侧的部分所述第一隔离层，所述第二部分位于所述第一沟槽的侧边且覆盖所述第一介质层的非沟槽区域上方的部分所述第一隔离层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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