珠海格力电器股份有限公司欧阳冯获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种半导体器件框架、分立器件、功率模块以及控制器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223665452U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423034515.1,技术领域涉及:H01L23/495;该实用新型一种半导体器件框架、分立器件、功率模块以及控制器是由欧阳冯;廖勇波;宋德超设计研发完成,并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件框架、分立器件、功率模块以及控制器在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种半导体器件框架、分立器件、功率模块以及控制器,涉及半导体技术领域。本实用新型包括框架本体和电镀层,所述框架本体的表面设置有框架沟槽。所述电镀层覆盖于所述框架本体的表面,且向所述框架沟槽内延伸设置,以在位于所述框架沟槽上的电镀层的表面形成安装凹槽,所述安装凹槽与分立器件的塑封体形状配合形成固定。从而在进行器件封装时,可以通过塑封体延伸至所述安装凹槽内,可以提高塑封体与所述框架本体之间的连接强度,并减少器件的空洞率,从而提高分立器件的气密性,并提高器件的性能可靠性。
本实用新型一种半导体器件框架、分立器件、功率模块以及控制器在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件框架,其特征在于,所述半导体器件框架包括: 框架本体1,所述框架本体1的表面设置有框架沟槽2; 电镀层4,所述电镀层4覆盖于所述框架本体1的表面,且向所述框架沟槽2内延伸设置,以在位于所述框架沟槽2上的电镀层4的表面形成安装凹槽3,所述安装凹槽3与分立器件的塑封体7形状配合形成固定。
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