深圳市迪浦电子有限公司方绍明获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市迪浦电子有限公司申请的专利一种MOSFET封装结构及功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223665454U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423249289.9，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种MOSFET封装结构及功率半导体器件是由方绍明;陈勇;张传发;曾伟设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET封装结构及功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及功率器件技术领域，具体涉及一种MOSFET封装结构及功率半导体器件。本申请提供的MOSFET封装结构包括：引线框架；引线框架包括分立的引线框架源极、引线框架栅极和引线框架漏极；MOSFET芯片，包括芯片封装基体和位于芯片封装基体表面的源极焊盘；引线框架包围MOSFET芯片，引线框架漏极套设于封装基体，与MOSFET芯片的漏极直接连接；引线框架源极与源极焊盘通过若干源极引线连接；源极引线均自引线框架源极上斜拉至源极焊盘；单根源极引线在源极焊盘上具有至少三个焊点，在引线框架源极上具有一个焊点。本申请提供的MOSFET封装结构导通电阻较小，能耗较低，可有效提升器件效率。
本实用新型一种MOSFET封装结构及功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括： 引线框架；所述引线框架包括分立的引线框架源极、引线框架栅极和引线框架漏极； MOSFET芯片，包括芯片封装基体和位于所述芯片封装基体表面的源极焊盘和栅极焊盘； 所述栅极焊盘被所述源极焊盘环绕，且位于所述源极焊盘所在区域的边缘；所述栅极焊盘与所述引线框架栅极通过栅极引线直线斜拉连接； 所述引线框架包围所述MOSFET芯片，所述引线框架漏极套设于所述封装基体，与所述MOSFET芯片的漏极直接连接； 所述引线框架源极与所述源极焊盘通过若干源极引线连接； 所述源极引线均自所述引线框架源极上斜拉至所述源极焊盘；单根所述源极引线在所述源极焊盘上具有至少三个焊点，在所述引线框架源极上具有一个焊点。
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