台湾积体电路制造股份有限公司徐廷鋐获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223665459U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422996844.8，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型半导体结构是由徐廷鋐;黄珍嬅;洪蔡豪;谢正贤;许立翰设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括彼此堆叠且电性耦接的第一和第二集成电路构件。第一集成电路构件包括包含第一接合介电层和设置在第一接合介电层中的第一接合特征以及设置在第一接合介电层中的第一对准图案。第二集成电路构件包括包含接合到第一接合介电层的第二接合介电层和设置在第二接合介电层中并接合到第一接合特征的第二接合特征以及设置在第二接合介电层中并与第一对准图案以交错方式对准的第二对准图案。在俯视图中，第二对准图案设置在第一集成电路构件的边界内。通过将第一和第二对准图案在交叠的区域内以交错的方式对准，第一集成电路构件的大小可任意地增大或减小而不受限于第二对准图案的位置。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一集成电路构件，包括： 第一接合结构，包括第一接合介电层和设置在所述第一接合介电层中的第一接合特征；及 第一对准图案，设置在所述第一接合介电层中；以及 第二集成电路构件，在所述第一集成电路构件下方并电性耦接到所述第一集成电路构件，所述第二集成电路构件包括： 第二接合结构，包括接合到所述第一接合介电层的第二接合介电层及设置在所述第二接合介电层中并接合到所述第一接合特征的第二接合特征；及 第二对准图案，设置在所述第二接合介电层中并与所述第一对准图案以交错方式对准，其中在俯视图中，所述第二对准图案设置在所述第一集成电路构件的边界内。
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