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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有重叠的导电区域的半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110783302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910674924.2，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权具有重叠的导电区域的半导体封装及其制造方法是由J·赫格尔;O·哈泽;T·基斯特设计研发完成，并于2019-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有重叠的导电区域的半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：一种能够双侧冷却的半导体封装，其包括：上导电元件，其具有向外露出的金属表面；下承载衬底，其具有上导电层、下导电层以及布置在上导电层与下导电层之间的电绝缘层，其中，下导电层具有向外露出的表面；第一导电间距保持件，其布置在上导电元件与上导电层之间；至少一个功率半导体芯片，其布置在上导电元件与上导电层之间；第二导电间距保持件，其布置在上导电元件与功率半导体芯片之间，其中，下承载衬底的上导电层的第一承载区域构造用于施加正供电电压，上导电层的布置在第一承载区域旁边的第二承载区域构造成相，并且上导电元件的第一区域构造用于施加负供电电压，其中，第一区域与第一承载区域至少部分地重叠。

本发明授权具有重叠的导电区域的半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种能够双侧冷却的半导体封装，所述半导体封装包括： 由电绝缘模压料构成的封装体； 上导电元件，所述上导电元件具有向外露出的金属表面，所述金属表面从封装体的第一侧露出， 下承载衬底，所述下承载衬底具有上导电层、下导电层和电绝缘层，其中，所述下导电层具有向外露出的表面，所述表面从封装体的与第一侧相对置的第二侧露出，所述电绝缘层布置在所述上导电层与所述下导电层之间， 第一导电间距保持件，所述第一导电间距保持件布置在所述上导电元件与所述上导电层之间， 功率半导体芯片，所述功率半导体芯片布置在所述上导电元件与所述上导电层之间， 第二导电间距保持件，所述第二导电间距保持件布置在所述上导电元件与所述功率半导体芯片之间， 其中，所述下承载衬底的上导电层的第一承载区域与能够双侧冷却的半导体封装的第一功率连接端电连接， 其中，所述上导电层的布置在所述第一承载区域旁边的第二承载区域与能够双侧冷却的半导体封装的相连接端电连接， 其中，所述上导电元件的第一区域与能够双侧冷却的半导体封装的第二功率连接端连接， 其中，所述第一承载区域具有U形的形状，其中，所述第二承载区域由所述第一承载区域包围。

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