英特尔公司S·马尼帕特鲁尼获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有包括晶态合金的金属接触部的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111095564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094562.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有包括晶态合金的金属接触部的半导体器件是由S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;U·E·阿维奇;C·J·维甘德;A·乔杜里;J·S·沙瓦拉;I·A·扬设计研发完成，并于2017-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有包括晶态合金的金属接触部的半导体器件在说明书摘要公布了：公开了用于形成包括源极接触部和漏极接触部以及栅电极中的一个或多个其包括含有过渡金属的晶态合金的半导体集成电路的技术。所述晶态合金有助于降低对于半导体器件的接触电阻。在本公开的一些实施例中，这一接触电阻的降低是通过使晶态合金的功函数与源极区和漏极区的功函数对齐，使得与晶态合金与源极区之间的界面和晶态合金与漏极区之间的界面相关联的肖特基势垒高度处于小于或等于0.3eV的范围内而实现的。
本发明授权具有包括晶态合金的金属接触部的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种非平面半导体器件，包括： 三维沟道区； 栅电极，所述栅电极至少处于所述三维沟道区上方，所述栅电极包括含有过渡金属的第一晶态合金； 栅极电介质，所述栅极电介质处于所述栅电极和所述三维沟道区之间；以及 直接处于所述栅极电介质和所述栅电极之间的第一层，所述第一层与所述第一晶态合金晶格匹配。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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