三星电子株式会社安钟善获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112133703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010572363.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件是由安钟善;权永振;韩智勋设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：沟道结构，布置在衬底上并且在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸，沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层；多个绝缘层，布置在衬底上并且围绕沟道结构，所述多个绝缘层在第一方向上彼此间隔开；围绕沟道结构的多个第一栅电极；以及围绕沟道结构的多个第二栅电极。在所述多个绝缘层之中的相邻绝缘层之间布置所述多个第一栅电极之中的第一栅电极和所述多个第二栅电极之中的第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极沿第一方向彼此间隔开。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 沟道结构，布置在衬底上并且在垂直于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸，所述沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层； 多个绝缘层，布置在所述衬底上并且围绕所述沟道结构，所述多个绝缘层在所述第一方向上彼此间隔开； 多个第一栅电极，围绕所述沟道结构； 多个第二栅电极，围绕所述沟道结构；以及 盖绝缘层结构，设置在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间， 其中在所述多个绝缘层之中的相邻绝缘层之间布置所述多个第一栅电极之中的第一栅电极和所述多个第二栅电极之中的第二栅电极，所述多个第一栅电极之中的所述第一栅电极和所述多个第二栅电极之中的所述第二栅电极沿所述第一方向彼此间隔开， 其中所述第一栅电极包括布置在所述相邻绝缘层之中的下部绝缘层的顶表面上的第一金属层， 其中所述盖绝缘层结构包括接触所述第一金属层的顶表面的底表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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