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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利光学微机电设备及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113003533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011518882.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权光学微机电设备及其制造工艺是由L·塞吉齐;N·博尼;L·奥吉欧尼;R·卡尔米纳蒂;M·卡米纳蒂设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学微机电设备及其制造工艺在说明书摘要公布了：本公开涉及利用抗反射表面制造具有可倾斜结构的光学微机电设备的工艺。为了制造光学微机电设备，加工具有第一表面和第二表面的半导体材料的第一晶片，以形成悬挂镜结构、围绕悬挂镜结构的固定结构、在固定结构与悬挂镜结构之间延伸的弹性支撑元件、以及耦接到悬挂镜结构的致动结构。第二晶片被单独加工，以形成由底壁界定的室，该底壁具有贯通开口。第二晶片以如下方式被接合到第一晶片的第一表面，该方式使得室覆盖在致动结构上，并且贯通开口与悬挂镜结构对准。此外，第三晶片被接合到第一晶片的第二表面，以形成复合晶片设备。该复合晶片设备然后被切割以形成光学微机电设备。

本发明授权光学微机电设备及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于制造光学微机电设备的方法，包括： 以堆叠布置形成工作衬底和绝缘层，所述工作衬底具有面向所述绝缘层的第一工作表面； 在所述绝缘层中形成第一开口； 在所述第一工作表面和所述绝缘层的顶部上形成掩模，从而形成由所述掩模限定的第二开口，并且所述第二开口与所述第一开口同心； 移除与所述第二开口对应的区域中的所述工作衬底的部分，以创建第一凹部，并且此后移除所述掩模； 移除所述工作衬底的部分，以加深所述第一凹部，并且创建围绕所述第一凹部的第二凹部，并且所述第二凹部比所述第一凹部宽； 移除所述绝缘层的剩余部分以获得中间结构，其中所述工作衬底的所述第一工作表面的剩余部分形成临时接触表面，所述临时接触表面具有比所述第一工作表面小的面积，并且围绕所述第二凹部； 在通过在所述临时接触表面处将所述工作衬底临时接合到支撑晶片来支撑所述工作衬底的同时，减薄所述工作衬底，所述减薄用于将所述第二凹部转变为在下方由底壁界定的室，并且用于将所述第一凹部转变为贯通凹部； 使已减薄的所述工作衬底的外表面变黑； 将已减薄的所述工作衬底接合到另一临时支撑晶片，其中所述接合面向已减薄的所述工作衬底的所述外表面； 翻转已减薄的所述工作衬底，并且将已减薄的所述工作衬底接合在绝缘体上硅晶片的第一表面上；以及 移除所述临时支撑晶片。

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