长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111348316.6，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制备方法是由吴林春;郑晓芬;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维存储器及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提升三维存储器的良品率。所述制备方法包括：制备半导体结构；去除第二介质层中覆盖栅线缝隙的侧壁的部分；在栅线缝隙内形成填充结构；去除衬底；在叠层结构的去除衬底的一侧形成源极层。其中，半导体结构包括：衬底，及设置于衬底上的叠层结构。叠层结构包括交替设置的第一介质层和栅极层。半导体结构还包括栅线缝隙和第二介质层，栅线缝隙沿垂直于衬底的方向贯穿叠层结构并延伸至衬底内，第二介质层位于第一介质层和栅极层之间，并且覆盖栅线缝隙的侧壁。本公开用于制备三维存储器。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括： 制备半导体结构；所述半导体结构包括：衬底；设置于所述衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括交替设置的多个第一介质层和栅极层；栅线缝隙，所述栅线缝隙沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述叠层结构，并延伸至所述衬底内；第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层与所述栅极层之间，且覆盖所述栅线缝隙的侧壁；沿垂直于所述衬底的方向，相邻的所述第一介质层之间具有凹陷； 在所述栅线缝隙内形成初始保护层，所述初始保护层填充所述凹陷，并覆盖所述栅线缝隙的侧壁和底部； 去除所述初始保护层中覆盖所述栅线缝隙的侧壁和底部的部分，保留填充于所述凹陷内的部分，形成保护层； 在形成保护层之后，去除所述第二介质层中覆盖所述栅线缝隙的侧壁的部分； 在所述栅线缝隙内形成填充结构； 去除所述衬底； 在所述叠层结构的去除所述衬底的一侧形成源极层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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