通富微电子股份有限公司杜茂华获国家专利权
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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111494369.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构是由杜茂华;吴明敏设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：提供缓冲芯片、多个假片和多个第一存储器芯片，假片设置有槽体，缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，第一存储器芯片设置有与多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔；分别将每个第一存储器芯片固定在对应的假片的槽体内，形成多个存储器微模组；将多个存储器微模组依次混合键合堆叠在缓冲芯片上，存储器微模组在缓冲芯片上的正投影与缓冲芯片重合。本方法通过假片将两种不同尺寸的第一存储器芯片和缓冲芯片调整为同一尺寸，即存储器微模组与缓冲芯片尺寸相同，可实现晶圆级混合键合，实现可量产性，产出率高。每相邻两个存储器微模组间混合键合，在同等密度下，提高数据吞吐量。
本发明授权一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多层堆叠存储器封装方法，其特征在于，所述方法包括： 提供缓冲芯片、多个假片和多个第一存储器芯片，所述假片设置有槽体，所述缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，所述第一存储器芯片设置有与所述多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔； 分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述假片的所述槽体内，以通过所述假片将两种不同尺寸的所述第一存储器芯片和所述缓冲芯片调整为同一尺寸，形成多个存储器微模组，其中，所述第一存储器芯片的表面凸出于所述假片的表面； 将多个所述存储器微模组依次晶圆级混合键合堆叠在所述缓冲芯片上，其中，所述存储器微模组在所述缓冲芯片上的正投影与所述缓冲芯片重合。
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