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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110900586.7，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器装置是由野岛和弘;柚木幸平设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：堆叠层体，其包含在第一方向上交替堆叠的导电层及绝缘层；分区结构，其各自在所述堆叠层体中在第一及第二方向上延伸；及中间结构，其从上端延伸且终止于相邻分区结构之间的所述堆叠层体的上端与下端之间的位置处。所述分区结构包含第一分区结构，其包含在所述第二方向上布置的第一及第二部分，所述第一部分从所述上端延伸到所述下端，且所述第二部分位于相邻第一部分之间、从所述上端延伸且终止于所述上端与所述下端之间的所述位置处。

本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，其包括： 堆叠层体，其包含其中多个导电层及多个绝缘层在第一方向上交替堆叠的结构； 多个柱状结构，其各自包含在所述第一方向上延伸穿过所述堆叠层体的半导体层； 多个分区结构，其各自在所述堆叠层体中在所述第一方向及与所述第一方向相交的第二方向上延伸，且在与所述第一及第二方向相交的第三方向上将所述多个柱状结构分割成多个群组；及 中间结构，其提供于在所述第三方向上彼此相邻的所述分区结构之间，所述中间结构在所述第一方向上从所述堆叠层体在所述第一方向的一端延伸且终止于所述堆叠层体在所述第一方向的所述一端与另一端之间的位置处， 其中 所述分区结构包含第一分区结构，其包含在所述第二方向上布置的至少两个第一部分及至少一个第二部分，所述第二部分位于在所述第二方向上彼此相邻的所述第一部分之间， 所述第一部分中的每一者在所述第一方向上从所述堆叠层体的所述一端延伸到所述另一端，且 所述第二部分在所述第一方向上从所述堆叠层体的所述一端延伸且终止于所述堆叠层体的所述一端与所述另一端之间的所述位置处， 所述第二部分在所述第三方向上划分预定数目个所述导电层， 所述中间结构在所述第三方向上划分数目与由所述第二部分划分的所述导电层的所述预定数目相同的所述导电层， 所述预定数目为2以上， 相对于所述堆叠层体的所述一端与所述另一端之间的所述位置，位于所述堆叠层体的所述另一端侧的多个所述导电层在所述第一方向上与所述第二部分重叠，且所述导电层的所述重叠的部分中的每一者在所述第二方向上从两个第一部分中的一个连续地延伸到所述两个第一部分中的另一个，所述两个第一部分经由所述第二部分在所述第二方向上彼此相邻。

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