苏州纳维科技有限公司聂恒亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州纳维科技有限公司申请的专利可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111482182.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法是由聂恒亮;徐琳;苏克勇;陈吉湖设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可分离多层GaN衬底的分离方法，将可分离多层GaN衬底浸入腐蚀液中，使氮化物牺牲层浸没于所述腐蚀液中；提供一光源，该光源向可分离多层GaN衬底照射一光束，所述光束透过所述GaN基层在所述氮化物牺牲层上形成光斑；移动光斑，使得该光斑的移动轨迹满足从所述氮化物牺牲层的边缘往中心靠拢；其中，所述光源的光具有大于所述氮化物牺牲层带隙并小于所述GaN基层和GaN功能层带隙的能量，且所述光斑的移动速度满足被该光斑照射的氮化物牺牲层区域能被所述腐蚀液腐蚀。分离后的GaN基层可以反复利用，极大地降低了GaN器件的制作成本。
本发明授权可分离多层GaN衬底及其分离方法、半导体芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种可分离多层GaN衬底的分离方法，所述可分离多层GaN层包括GaN基层、位于该GaN基层上的氮化物牺牲层、位于该氮化物牺牲层上的GaN功能层，其特征在于，所述分离方法包括： 将所述可分离多层GaN衬底浸入腐蚀液中，使所述氮化物牺牲层浸没于所述腐蚀液中； 提供一光源，该光源向所述可分离多层GaN衬底照射一光束，所述光束透过所述GaN基层在所述氮化物牺牲层上形成光斑； 移动所述光斑，使得该光斑的移动轨迹满足从所述氮化物牺牲层的边缘往中心靠拢； 其中，所述光源的光具有大于所述氮化物牺牲层带隙并小于所述GaN基层和GaN功能层带隙的能量，且所述光斑的移动速度满足被该光斑照射的氮化物牺牲层区域能被所述腐蚀液腐蚀，所述GaN基层厚度不小于200μm，位错密度不大于1x106cm-2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州纳维科技有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励