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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利放射线检测器及其使用方法和放射线检查装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114488253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643319.2，技术领域涉及：G01T1/16；该发明授权放射线检测器及其使用方法和放射线检查装置是由李梹激;黄永;陈兴;刘马良设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本放射线检测器及其使用方法和放射线检查装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种放射线检测器及其使用方法和放射线检查装置，其中的放射线检测器包括：第一活性材料层和第二活性材料层，第一活性材料层吸收入射的放射线中第一能量段的部分，第二活性材料层吸收入射的放射线中第二能量段的部分；第一收集电极和第二收集电极，第一收集电极设置于第一活性材料层的远离第二活性材料层的表面，第二收集电极设置于第二活性材料层的远离第一活性材料层的表面；第一收集电极用以在被施加反向偏压时收集第一活性材料层中的载流子，第二收集电极用以在被施加反向偏压时收集第二活性材料层中的载流子。本发明中的器件，能够在一次放射线入射的过程中区分双能量放射线光子所产生的的电信号，实现双能成像。

本发明授权放射线检测器及其使用方法和放射线检查装置在权利要求书中公布了：1.一种放射线检测器，其特征在于，包括： 第一活性材料层和第二活性材料层，所述第一活性材料层吸收入射的放射线中第一能量段的部分，经过所述第一活性材料层后的放射线入射所述第二活性材料层，所述第二活性材料层吸收入射的放射线中第二能量段的部分；所述第二能量段为所述放射线中高于所述第一能量段的部分，所述第一活性材料层对所述第二能量段的放射线的吸收系数小于所述第二活性材料层对所述第二能量段的放射线的吸收系数；所述第一活性材料层为Ⅲ-Ⅴ族半导体活性材料层，所述第二活性材料层为钙钛矿活性材料层； 第一收集电极和第二收集电极，所述第一收集电极设置于所述第一活性材料层的远离所述第二活性材料层的表面，所述第二收集电极设置于所述第二活性材料层的远离所述第一活性材料层的表面；所述第一收集电极用以在所述第一收集电极被第一电源施加第一反向偏压时收集所述第一活性材料层中的载流子，所述第二收集电极用以在所述第二收集电极被第二电源施加第二反向偏压时收集所述第二活性材料层中的载流子。

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