格芯(美国)集成电路科技有限公司M·莱维获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利利用富陷阱层增强的隔离沟槽获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111375901.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权利用富陷阱层增强的隔离沟槽是由M·莱维;西瓦·P·阿度苏米利;史蒂芬·M·宣克;亚文·J·乔瑟夫;安东尼·K·史塔佩尔设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用富陷阱层增强的隔离沟槽在说明书摘要公布了：本申请涉及利用富陷阱层增强的隔离沟槽，揭示了具有电性隔离的半导体结构以及形成具有电性隔离的半导体结构的方法。包含介电材料的浅沟槽隔离区设置于半导体衬底中。沟槽延伸穿过该浅沟槽隔离区并延伸至位于该浅沟槽隔离区下方的该半导体衬底中的沟槽底部。介电层至少部分地填充该沟槽。布置于该半导体衬底中的多晶区包括设置于该沟槽底部下方的部分。
本发明授权利用富陷阱层增强的隔离沟槽在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体衬底，具有顶部表面； 浅沟槽隔离区，位于该半导体衬底中，该浅沟槽隔离区由第一介电材料组成； 第一多晶层，位于该半导体衬底中； 第二多晶层，位于该半导体衬底中，该第一多晶层设置于该第二多晶层与该半导体衬底的该顶部表面之间； 第一沟槽，延伸穿过该浅沟槽隔离区、该第一多晶层以及该第二多晶层并延伸至位于该浅沟槽隔离区下方的该半导体衬底中的沟槽底部； 介电层，至少部分填充该第一沟槽；以及 多晶区，位于该半导体衬底中，该多晶区包括设置于该沟槽底部下方的第一部分。
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