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龙图腾网获悉上海美仁半导体有限公司申请的专利智能功率模块及控制设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114531018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210248076.0，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权智能功率模块及控制设备是由傅振宇设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本智能功率模块及控制设备在说明书摘要公布了：本申请提出了一种智能功率模块及控制设备，其中，智能功率模块包括：MCU、至少一个HVIC和至少一个晶体管组件，MCU与所有的HVIC连接，每个HVIC与对应的晶体管组件连接；其中，晶体管组件包括至少两个晶体管，其中，晶体管为MOSFET或IGBT；HVIC包括LDO和二极管，且每个HVIC的上桥臂和下桥臂分别与对应的晶体管组件中的其中一个晶体管连接；MCU用于对晶体管的连接方式进行控制。由此，本申请提出的IPM为将HVIC、晶体管组件和MCU进行封装的集成体，可选地，可以将LDO和二极管集成于HVIC内，无需在外部增设其他器件，节省了硬件成本。此外，通过提供包括至少两个晶体管的晶体管组件，使得能够扩宽可承受的电压范围，提高了本申请提出的IPM对应的电机的安全性和可靠性。

本发明授权智能功率模块及控制设备在权利要求书中公布了：1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：微控制单元MCU、至少一个高压集成电路HVIC和至少一个晶体管组件，所述MCU与所有的所述HVIC连接，每个所述HVIC与对应的所述晶体管组件连接；其中， 所述晶体管组件包括至少两个晶体管，其中，所述晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或绝缘栅双极型晶体管IGBT； 所述HVIC包括低压差线性稳压器LDO和二极管，且每个所述HVIC的上桥臂和下桥臂分别与对应的所述晶体管组件中的其中一个所述晶体管连接； 所述MCU用于对所述晶体管组件中的所述晶体管的连接方式进行控制； 所述MCU，还用于： 获取电机的母线电压； 根据所述母线电压，获取每个所述晶体管组件对应的目标晶体管，并对所述目标晶体管进行连接； 所述MCU，还用于： 当所述母线电压小于母线电压阈值时，选取任一所述晶体管作为所述目标晶体管；或者， 当所述母线电压大于或者等于所述母线电压阈值时，选取至少两个所述晶体管作为所述目标晶体管，并将所述目标晶体管串联连接。

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