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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114563348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210096352.6，技术领域涉及：G01N21/01；该发明授权掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统是由沙鹏飞;吴晓斌;王魁波;马翔宇;尹皓玉;方旭晨;谢婉露;李慧;韩晓泉;罗艳;马赫;谭芳蕊设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统，其中掩模缺陷检测装置包括：壳体，壳体内部具有真空腔；掩模，设于真空腔内；平面反射镜，设于真空腔内且位于掩模的一侧的，平面反射镜用于反射极紫外光束并使其垂直照射在掩模上；退相干反射组件，设于真空腔内，退相干反射组件用于将射入真空腔的极紫外光束退相干后反射至平面反射镜；成像装置，成像装置具有成像平面；反射光采集装置，用于采集由掩模上的缺陷反射出的极紫外光束并输出至成像平面，在成像平面生成亮点。本发明提出的掩模缺陷检测装置可以采用以新型粒子加速器EUV光源生成的具有较高的输出功率的极紫外光，提高了掩模缺陷检测的产率。

本发明授权掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统在权利要求书中公布了：1.一种掩模缺陷检测装置，其特征在于，所述掩模缺陷检测装置包括： 壳体，所述壳体内部具有真空腔，待检测的掩模设于所述真空腔内，所述壳体上设有供极紫外光束穿过的射入口和射出口； 平面反射镜，设于所述真空腔内且位于所述掩模的一侧的，所述平面反射镜用于反射极紫外光束并使其垂直地照射在所述掩模上； 退相干反射组件，对应所述射入口且设于所述真空腔内，所述退相干反射组件用于将射入所述真空腔的极紫外光束退相干后反射至所述平面反射镜； 成像装置，设于所述射出口上，所述成像装置具有成像平面； 反射光采集装置，设于所述平面反射镜背离所述掩模的一侧，所述反射光采集装置用于采集由所述掩模上的缺陷反射出的极紫外光束并输出至所述成像平面，在所述成像平面生成亮点； 所述退相干反射组件包括： 至少一个退相干反射镜，所述退相干反射镜包括多个子镜面，各所述子镜面的朝向一致，极紫外光束经多个所述子镜面反射出多个子光束，且任意相邻的两个所述子光束的光程差大于相干长度； 多个所述子镜面沿预设方向呈阶梯状分布，所述预设方向为平行于极紫外光束传播的方向，且所述子镜面与所述预设方向呈倾斜设置； 所述多个子镜面的镜面类型为平面、内凹的球面、不规则形状和微机电可变形反射镜中的至少一种； 沿极紫外光束传播的方向各所述子镜面之间的距离相等。

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