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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114563742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149393.7，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器及其制备方法是由刘博;忻向军;赵立龙;毛雅亚;郑杰文;吴翔宇;吴泳锋;孙婷婷;任建新;戚志鹏;李莹;王凤设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器及其制备方法，其中制备方法包括逐一将两个空芯硅管Ⅰ的两端分别与标准单模光纤熔接；将其中一个空芯硅管Ⅰ同轴插入第一空芯硅管Ⅱ内，并将同轴的空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ的一端封装后放入酒精中，当酒精进入第一空芯硅管Ⅱ内并包裹对应的空芯硅管Ⅰ后，将同轴的空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ的另一端封装；将另一个空芯硅管Ⅰ同轴插入第二空芯硅管Ⅱ内，并将同轴的空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅱ的一端封装后放入磁流体中，当磁流体进入第二空芯硅管Ⅱ内并包裹空芯硅管Ⅰ后，将同轴的空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅱ的另一端封装。本发明能够消除磁场测量时的温度串扰。

本发明授权一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于自参考谐振反射光波导的温度补偿光纤磁场传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取标准单模光纤、第一空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅰ，将获取的标准单模光纤、第一空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅰ的涂覆层剥去后，用酒精擦拭备用； 逐一将备用的第一空芯硅管Ⅰ的两端和第二空芯硅管Ⅰ的两端分别与标准单模光纤熔接，第一空芯硅管Ⅰ与第二空芯硅管Ⅰ相对设置； 将与标准单模光纤熔接的第一空芯硅管Ⅰ同轴插入第一空芯硅管Ⅱ内，并将同轴的第一空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ的一端封装后放入酒精中，当酒精进入第一空芯硅管Ⅱ内并包裹第一空芯硅管Ⅰ后，将同轴的第一空芯硅管Ⅰ和第一空芯硅管Ⅱ的另一端封装，形成对温度敏感的谐振腔； 将与标准单模光纤熔接的第二空芯硅管Ⅰ同轴插入第二空芯硅管Ⅱ内，并将同轴的第二空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅱ的一端封装后放入磁流体中，当磁流体进入第二空芯硅管Ⅱ内并包裹第二空芯硅管Ⅰ后，将同轴的第二空芯硅管Ⅰ和第二空芯硅管Ⅱ的另一端封装，形成对温度和磁场均敏感的谐振腔； 各空芯硅管Ⅰ的内径为75μm，外径为150μm；各空芯硅管Ⅱ的内径为240μm，外径为300μm。

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