买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210262937.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法是由杨超;吴振国;赵利俊设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法。所述三维存储器包括：器件结构，包括堆叠层，所述堆叠层中具有多个沟道孔，每一所述沟道孔包括具有第一预设相对偏移量的第一沟道孔和第二沟道孔；量测结构，位于所述器件结构外部，所述量测结构包括多个量测子阵列，相邻所述量测子阵列之间具有一间距，每个所述量测子阵列中包括呈阵列排布的多个量测孔，所述量测孔包括具有第二预设相对偏移量第一量测孔和第二量测孔，所述第一预设偏移量和所述第二预设偏移量之间具有一预设差值。本发明提高了所述沟道孔内套准量测结果的可靠性和准确性。

本发明授权三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 衬底； 器件结构，位于所述衬底上，所述器件结构包括堆叠层，所述堆叠层中具有呈阵列排布的多个沟道孔，每一所述沟道孔包括第一沟道孔、以及位于所述第一沟道孔上方且与所述第一沟道孔连通的第二沟道孔，在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述第一沟道孔和与其连通的所述第二沟道孔之间具有第一预设相对偏移量； 量测结构，位于所述衬底上且分布于所述器件结构外部，所述量测结构包括多个量测子阵列，相邻所述量测子阵列之间具有一间距，每个所述量测子阵列中包括呈阵列排布的多个量测孔，每一所述量测孔包括第一量测孔、以及位于所述第一量测孔上方且与所述第一量测孔连通的第二量测孔，所述第一量测孔的孔径、所述第二量测孔的孔径、所述第一沟道孔的孔径和所述第二沟道孔的孔径均相等，在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述第一量测孔和与其连通的所述第二量测孔之间具有第二预设相对偏移量，所述第一预设相对偏移量和所述第二预设相对偏移量之间具有一预设差值，所述预设差值小于或者等于第一量测孔的孔径的一半。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。