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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技有限公司申请的专利半SGT MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011635490.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半SGT MOSFET器件及制造方法是由曾大杰设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半SGT MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半SGTMOSFET器件，包括：在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的第一外延层和第二外延层；半SGTMOSFET器件分成有源区和终端区；第一外延层分成位于有源区中的第一区域和位于所述终端区中的第二区域，第一区域和第二区域的掺杂浓度独立设置；第二外延层的掺杂浓度高于第一区域的掺杂浓度，第二区域的掺杂浓度低于第一区域的掺杂浓度，使第二区域在器件反偏时能被完全耗尽，以提升终端区的耐压值。本发明还公开一种半SGTMOSFET器件的制造方法。本发明能提高终端区的击穿电压同时不影响有源区的器件单元的性能。

本发明授权半SGT MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半SGTMOSFET器件，其特征在于，包括： 在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的第一外延层，在所述第一外延层的表面形成有第一导电类型掺杂的第二外延层； 半SGTMOSFET器件分成有源区和终端区； 在所述有源区中形成有所述半SGTMOSFET器件的多个器件单元，所述器件单元包括栅极结构，所述栅极结构形成于栅极沟槽中且在所述栅极沟槽中形成源导电材料层；所述栅极沟槽穿过所述第二外延层； 在所述有源区中，各所述栅极沟槽和所述栅极沟槽之间的台面区形成交替排列结构； 在所述终端区中具有终端结构，所述终端结构包括具有一个或数个终端栅极沟槽，所述终端栅极沟槽穿过所述第二外延层，在所述终端栅极沟槽中形成终端源导电材料层； 所述第一外延层分成位于所述有源区中的第一区域和位于所述终端区中的第二区域，所述第一区域和所述第二区域的掺杂浓度独立设置； 所述第二外延层的掺杂浓度高于所述第一区域的掺杂浓度，所述第二区域的掺杂浓度低于所述第一区域的掺杂浓度，使所述第二区域在器件反偏时能被完全耗尽，以提升所述终端区的耐压值。

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