长江存储科技有限责任公司张鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210325853.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由张鹏飞;陈金星;李贝贝设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括在衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括位于所述第一堆叠层两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层。然后形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层，最后对保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。其中，所述第一连接区堆叠层在第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在第二方向的宽度，因此不会导致第一连接区堆叠层和第一连接区堆叠层附近的第二连接区堆叠层上的保护层偏薄，由此可以减少第一连接区堆叠层和附近第二连接区堆叠层上的保护层被侧掏，进而使保护层能够有效保护第一连接区堆叠层和第二连接区堆叠层。
本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括第一堆叠层和在第一方向上与所述第一堆叠层相邻设置的第二堆叠层，所述第一堆叠层包括分别位于所述第一堆叠层在第二方向两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层，其中，所述第一连接区堆叠层在所述第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在所述第二方向的宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直； 形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层； 对所述保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。
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