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龙图腾网获悉普瑞(无锡)研发有限公司申请的专利用于光耦合器件的二极管集成结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210327759.5，技术领域涉及：H10F39/90；该发明授权用于光耦合器件的二极管集成结构是由王锋;黄慧诗;闫晓密;陈晓冰;张秀敏设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于光耦合器件的二极管集成结构在说明书摘要公布了：本发明涉及用于光耦合器件的二极管集成结构，在衬底的正面设有光输入发光二极管与光探测二极管；发光二极管包括缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一接触电极、第一扩展电极、绝缘保护层、第一焊盘通与第二焊盘；光探测二极管；包括缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、第一接触电极、第一扩展电极、绝缘保护层、第一焊盘通与第二焊盘。本发明提供一种简易的可直接用于光耦合的二极管结构器件，可以降低器件电容，提升光耦合器件的响应频率；可以增强光耦合器件的耦合效率，且耦合效率可调。

本发明授权用于光耦合器件的二极管集成结构在权利要求书中公布了：1.一种用于光耦合器件的二极管集成结构，其特征是：在衬底2的正面设有光输入发光二极管3与光探测二极管4； 所述光输入发光二极管3包括：光输入发光外延叠层，光输入发光外延叠层包括在衬底2的正面依次堆叠的光输入缓冲层3.1、光输入第一半导体层3.2、光输入有源层3.3、光输入第二半导体层3.4；光输入透明导电层3.5，覆盖部分光输入第二半导体层3.4；光输入第一电极，包括光输入第一接触电极3.61与光输入第一扩展电极3.62，与所述光输入第一半导体层3.2连接；光输入第二电极，包括光输入第二接触电极3.71与光输入第二扩展电极3.72，与所述光输入透明导电层3.5连接；光输入绝缘保护层3.8，覆盖所述光输入发光外延叠层的侧壁及光输入透明导电层3.5的正面，光输入绝缘保护层3.8具有第一通孔和第二通孔；光输入第一焊盘3.9通过第一通孔与所述光输入第一电极电连接，光输入第二焊盘3.10通过第二通孔与光输入第二电极电连接； 所述光探测二极管4包括：光探测外延叠层，光探测外延叠层包括在衬底2的正面依次堆叠的光探测缓冲层4.1、光探测第一半导体层4.2、光探测有源层4.3、光探测第二半导体层4.4；光探测透明导电层4.5，覆盖部分光探测第二半导体层4.4；光探测第一电极，包括光探测第一接触电极4.61与光探测第一扩展电极4.62，与所述光探测第一半导体层4.2连接；光探测第二电极，包括光探测第二接触电极4.71与光探测第二扩展电极4.72，与所述光探测透明导电层4.5连接；光探测绝缘保护层4.8，覆盖所述光探测外延叠层的侧壁与光探测透明导电层4.5的正面，光探测绝缘保护层4.8具有第三通孔和第四通孔；光探测第一焊盘4.9通过第三通孔与所述光探测第一电极电连接，光探测第二焊盘4.10通过第四通孔与光探测第二电极电连接； 所述光输入缓冲层3.1与光探测缓冲层4.1呈间隔设置在所述衬底2的正面； 在竖直方向上，所述光输入第一接触电极3.61与光输入第一扩展电极3.62均避开光输入第二焊盘3.10，光输入第二接触电极3.71与光输入第二扩展电极3.72均避开光输入第一焊盘3.9； 在竖直方向上，所述光探测第一接触电极4.61与光探测第一扩展电极4.62均避开光探测第二焊盘4.10，光探测第二接触电极4.71与光探测第二扩展电极4.72均避开光探测第一焊盘4.9； 朝向光探测二极管4一侧的光输入发光外延叠层呈整体外凸形状，朝向光输入发光二极管3一侧的光探测外延叠层呈整体内凹形状； 且朝向光探测二极管4一侧的光输入发光外延叠层侧面横截面为外凸的圆弧形。

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