株式会社东芝水岛公一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111001524.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权非易失性存储器件是由水岛公一;丸龟孝生;西义史;野村久美子设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器件在说明书摘要公布了：本发明的实施方式涉及非易失性存储器件。本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够高精度化的非易失性存储器件。实施方式的非易失性存储器件具有分别是场效应型且具有栅极电极的多个晶体管。栅极电极包括隧道绝缘膜、第一集电体膜、离子传导体膜、第一电极膜、第二电极膜和第二集电体膜。隧道绝缘膜覆盖沟道区域。第一集电体膜相对于隧道绝缘膜被配置于沟道区域的相反侧。离子传导体膜配置于隧道绝缘膜与第一集电体膜之间。第一电极膜配置于隧道绝缘膜与离子传导体膜之间。第一电极膜与离子传导体膜接触。第二电极膜配置于离子传导体膜与第一集电体膜之间。第二电极膜与离子传导体膜接触。第二集电体膜配置于隧道绝缘膜与第二电极膜之间。
本发明授权非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，具备多个晶体管，该多个晶体管分别是场效应型且具有栅极电极和沟道区域，所述栅极电极包括：隧道绝缘膜，覆盖所述沟道区域；第一集电体膜，相对于所述隧道绝缘膜被配置于所述沟道区域的相反侧；离子传导体膜，配置于所述隧道绝缘膜与所述第一集电体膜之间；第一电极膜，配置于所述隧道绝缘膜与所述离子传导体膜之间，与所述离子传导体膜接触；第二电极膜，配置于所述离子传导体膜与所述第一集电体膜之间，与所述离子传导体膜接触；和第二集电体膜，配置于所述隧道绝缘膜与所述第二电极膜之间，所述栅极电极包含全固体电池构造，该全固体电池构造能够根据对所述第一电极膜与所述第二电极膜之间施加的电压而充放电、且电动势根据充放电的状态可变，充放电通过使通过所述隧道绝缘膜的隧道电流流过而进行，从所述沟道区域隧穿所述隧道绝缘膜的电子通过所述第一集电体膜后被蓄积在所述第一电极膜中，从而所述全固体电池构造被放电。
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