复旦大学孟佳琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210609915.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法。该柔性二维铁电神经突触晶体管包括：柔性衬底；栅极，其为有机导电聚合物薄膜，形成在所述柔性衬底上；栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，形成在所述栅极上；沟道，其为二维半导体薄膜，形成在所述栅介质层上；源极和漏极，其为有机导电聚合物薄膜，形成在所述沟道两侧，在不同弯折状态下实现神经突触特性模拟，获得稳定的神经突触短时程可塑性，用于高度耐弯曲的可穿戴神经形态计算电子设备。
本发明授权一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性二维铁电神经突触晶体管制备方法，其特征在于， 包括： 采用旋涂法在柔性衬底上形成有机导电聚合物薄膜，在50℃～150℃退火10分钟～30分钟，作为栅极； 采用旋涂法在所述栅极上形成有机铁电聚合物薄膜，在100℃～150℃退火100分钟～300分钟，作为栅介质层； 在所述栅介质层上形成二维半导体薄膜，作为沟道； 在所述沟道两侧形成有机导电聚合物薄膜，在40℃～100℃退火3分钟～5分钟，作为源极和漏极， 在不同弯折状态下实现神经突触特性模拟，获得稳定的神经突触短时程可塑性，用于高度耐弯曲的可穿戴神经形态计算电子设备。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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