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龙图腾网获悉江西力特康光学有限公司申请的专利一种深紫外光发光二极体外延结构、制备方法及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274958B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210979758.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种深紫外光发光二极体外延结构、制备方法及发光装置是由赖穆人;刘召忠;蓝文新;袁文辉;林辉;杨小利设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深紫外光发光二极体外延结构、制备方法及发光装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种深紫外光发光二极体外延结构、制备方法及发光装置，半导体发光二极管包括：衬底、第一AlN层、第二AlN层、AlaGa1‑aNAlNAlbGa1‑bN过渡层、N型AlcGa1‑cN欧姆接触层、第一量子垒层、AlyGa1‑yNAlxGa1‑xN多量子阱有源层、AlzGa1‑zN第二量子垒层、多周期P型AldGa1‑dNAleGa1‑eN电子阻挡层和P型AlfGa1‑fN欧姆接触层。多周期P型AldGa1‑dNAleGa1‑eN电子阻挡层的设置能够改善发光频谱的半高宽，也能让更多的载流子在多重量子阱发光区有效辐射复合，使深紫外光发光二极体外延结构具有较高的发光效率和纯度。

本发明授权一种深紫外光发光二极体外延结构、制备方法及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种深紫外光发光二极体外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧表面的第一AlN层； 位于所述第一AlN层背离所述衬底一侧的第二AlN层； 位于所述第二AlN层背离所述衬底一侧的AlaGa1-aNAlNAlbGa1-bN过渡层； 位于所述AlaGa1-aNAlNAlbGa1-bN过渡层背离所述衬底一侧的N型AlcGa1-cN欧姆接触层； 位于所述N型AlcGa1-cN欧姆接触层背离所述衬底一侧的AlxGa1-xN第一量子垒层； 位于所述AlxGa1-xN第一量子垒层背离所述衬底一侧的AlyGa1-yNAlxGa1-xN多量子阱有源层； 位于所述AlyGa1-yNAlxGa1-xN多量子阱有源层背离所述衬底一侧的AlzGa1-zN第二量子垒层； 位于所述AlzGa1-zN第二量子垒层背离所述衬底一侧的多周期P型AldGa1-dNAleGa1-eN电子阻挡层，其中，所述多周期P型AldGa1-dNAleGa1-eN电子阻挡层包括T个层组； 所述多周期P型AldGa1-dNAleGa1-eN电子阻挡层的T个层组中每个层组包括一个AldGa1-dN层和一个AleGa1-eN层，3≤T≤6，T为正整数； 所述AldGa1-dN层和AleGa1-eN层交替排列； 所述T个层组包括T1个第一层组和T2个第二层组，T1+T2＝T，且T1＜T2，T1≥1，T2≥2； 所述第一层组的所述AldGa1-dN层的厚度大于第二层组的所述AldGa1-dN层的厚度，和或，所述第一层组的所述AleGa1-eN层的厚度大于第二层组的所述的AleGa1-eN层的厚度； 所述第二层组位于所述第一层组背离所述第二量子垒层的一侧； 位于所述多周期P型AldGa1-dNAleGa1-eN电子阻挡层背离所述衬底一侧的P型AlfGa1-fN欧姆接触层。

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