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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210592122.9，技术领域涉及：H10F77/123；该发明授权短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用是由陈梦璐;唐鑫;薛晓梦;罗宇宁设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用，属于光电传感器技术领域。该探测器包括底电极、顶电极和本征硫汞族量子点层，还包括p型硫汞族量子点层和或n型硫汞族量子点层；其中，本征硫汞族量子点层与p型硫汞族量子点层形成I‑P或P‑I同质结；本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成I‑N或N‑I同质结；p型硫汞族量子点层、本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成P‑I‑N或N‑I‑P同质结。该探测器对短中红外波在室温下响应率好、比探测率高、外量子效率高，而且还具备相对比较广的探测温度。

本发明授权短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤： 1制作底电极； 2制备本征、n型和或p型硫汞族胶体量子点墨水： 2.1制备长链强配体包覆的硫汞族胶体量子点溶液:长链强配体、汞盐、硫系物前驱体采用热注射法合成长链强配体包覆的硫汞族胶体量子点溶液； 2.2常温液相混相配体交换：取步骤2.1的溶液经清洗、离心干燥处理后分散至正己烷中，加入2-巯基乙醇、相转移催化剂后混匀，继续加入N,N-二甲基甲酰胺使硫汞族红外胶体量子点转移至N,N-二甲基甲酰胺中后丢弃掉正己烷； 2.3表面偶极子调控：向步骤2.2的N,N-二甲基甲酰胺溶液中分别加入不同使用量的汞盐用于制备本征型硫汞族红外胶体量子点溶液和或n型硫汞族红外胶体量子点溶液，还包括向步骤2的N,N-二甲基甲酰胺溶液中加入硫化物制备p型硫汞族红外胶体量子点溶液，各溶液经清洗、离心干燥处理后制得各量子点固体沉淀并分散至N,N-二甲基甲酰胺中即制备得到本征、p型和或n型硫汞族胶体量子点墨水； 3制备不同类型同质结半导体层： 在步骤1的底电极表面涂覆步骤2制备的本征硫汞族胶体量子点墨水、p型硫汞族胶体量子点墨水形成I-P同质结半导体层和或P-I同质结半导体层； 在步骤1的底电极表面涂覆步骤2制备的本征硫汞族胶体量子点墨水、n型硫汞族胶体量子点墨水形成I-N同质结半导体层和或N-I同质结半导体层； 在步骤1的底电极表面涂覆步骤2制备的p型硫汞族胶体量子点墨水、本征硫汞族胶体量子点墨水、n型硫汞族胶体量子点墨水形成P-I-N同质结半导体层和或N-I-P同质结半导体层； 在涂覆过程中采用1,2-二硫醇+盐酸的混合液进行固体配体置换，每次置换结束后采用异丙醇清洗，直至完成； 4在同质结半导体层表面制作顶电极。

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