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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211074799.X，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构是由魏轶聃;刘国柱;魏敬和;赵伟;魏应强;许磊;隋志远;刘美杰设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种抗单粒子辐射的SiCVDMOS器件结构，属于半导体器件领域，包括N‑漂移区、P‑base区、P+高浓度区、P+低浓度区、N+源区、金属源端电极、金属漏端电极、栅端氧化层和栅端多晶硅层。N‑漂移区位于金属漏端电极的顶部表面；P‑base区呈“L”型，位于N‑漂移区的顶部；P+高浓度区同时位于N‑漂移区的顶部和“L”型P‑base区较低的平面上；P+低浓度区和N+源区均位于P+高浓度区上；金属源端电极位于P+低浓度区和N+源区上；栅端氧化层位于N‑漂移区的顶部中间位置，且与P‑base区和N+源区接触；栅端多晶硅层位于栅端氧化层的上方。在粒子入射后，P‑base区和P+高浓度区通过扩大电场范围，从而抑制寄生NPN晶体管的导通，有效地提升了SiCVDMOS器件抗单粒子烧毁的能力。

本发明授权一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐射的SiCVDMOS器件结构，其特征在于，包括N-漂移区1、P-base区2、P+高浓度区3、P+低浓度区4、N+源区5、金属源端电极6、金属漏端电极7、栅端氧化层8和栅端多晶硅层9； 所述N-漂移区1位于所述金属漏端电极7的顶部表面； 所述P-base区2呈“L”型，位于所述N-漂移区1的顶部； 所述P+高浓度区3同时位于所述N-漂移区1的顶部和“L”型P-base区2较低的平面上； 所述P+低浓度区4和所述N+源区5均位于所述P+高浓度区3上； 所述金属源端电极6位于所述P+低浓度区4和所述N+源区5上； 所述栅端氧化层8位于N-漂移区1的顶部中间位置，且与所述P-base区2和所述N+源区5接触；所述栅端多晶硅层9位于所述栅端氧化层8的上方。

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