沃孚半导体公司M·E·沃兹获国家专利权
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龙图腾网获悉沃孚半导体公司申请的专利基于III族氮化物的射频放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115362545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180025646.3,技术领域涉及:H01L23/04;该发明授权基于III族氮化物的射频放大器是由M·E·沃兹;M·博卡蒂斯;J·金;B·努里;母千里;K·C·里姆;M·玛贝尔设计研发完成,并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于III族氮化物的射频放大器在说明书摘要公布了:提供了RF放大器,该RF放大器包括互连结构270和安装在互连结构顶部的基于III族氮化物的RF放大器管芯210。基于III族氮化物的RF放大器管芯包括半导体层结构230。多个单位单元晶体管设置在半导体层结构的上部中,并且栅极端子222、漏极端子224和源极端子226设置在半导体层结构的与互连结构相邻的下表面上。
本发明授权基于III族氮化物的射频放大器在权利要求书中公布了:1.一种射频放大器,包括: 基于III族氮化物的射频放大器管芯,包括半导体层结构和设置在所述半导体层结构的下表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子, 其中,多个单位单元晶体管设置在所述半导体层结构的上部中, 其中,所述栅极端子通过一个或多个导电栅极通孔电连接到所述单位单元晶体管,并且所述漏极端子通过一个或多个导电漏极通孔电连接到所述单位单元晶体管,以及 其中,导电栅极通孔中的至少一个或导电漏极通孔中的至少一个的电感构成匹配电路的至少一部分。
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