无锡华润微电子有限公司陈晓亮获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110593347.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制备方法是由陈晓亮;陈天;钱忠健设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件及其制备方法，通过在半导体基底的隔离结构上形成开孔，开孔的底部露出部分衬底，进而在露出部分衬底的表面形成第一合金层，在开孔内形成与第一合金层接触的衬底引出结构，从而使衬底引出结构通过第一合金层与衬底形成良好的欧姆接触，实现低电阻的电连接，进而在背栅引出时具有更好的引出效果，提高器件的稳定性和可靠性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底、依次层叠设置在所述衬底上的绝缘埋层、半导体层及栅极结构，所述半导体基底还包括从所述半导体层的上表面贯穿至所述绝缘埋层的隔离结构； 在所述隔离结构内形成开孔，所述开孔延伸至所述衬底内，所述开孔的底壁和所述开孔的底部侧壁均露出部分所述衬底； 在所述露出部分所述衬底的表面形成第一合金层； 形成绝缘介质层，所述绝缘介质层填充所述开孔； 在所述开孔内的所述绝缘介质层中形成衬底引出孔，所述衬底引出孔的底部露出部分所述第一合金层； 在所述衬底引出孔内填充导电介质以形成衬底引出结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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