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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利LDMOS器件的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210998142.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权LDMOS器件的工艺方法是由张晗;杨新杰;金锋设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LDMOS器件的工艺方法：第一步，形成埋层；刻蚀并填充形成STI；离子注入形成第一深阱；通过光刻胶定义在所述有源区中形成第二阱区；形成一层栅介质层及多晶硅层；第二步，光刻胶定义后对所述多晶硅层进行刻蚀，形成所述开关LDMOS器件的栅极；第三步，重新涂覆光刻胶，定义出体区，打开体区注入窗口通过高能量的离子注入形成所述开关LDMOS器件的体区；第四步，对体区注入窗口的光刻胶进行修饰性刻蚀，露出多晶硅栅极；第五步，对体区注入窗口在再进行低能量的离子注入，然后进行热退火激活；第六步，沉积介质层，刻蚀形成所述多晶硅栅极的侧墙。本发明直接将体区刻蚀出来，解决光刻对准的问题，同时解决光刻数据率过低对刻蚀效果的影响。

本发明授权LDMOS器件的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件的工艺方法，其特征在于： 第一步，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层中通过离子注入形成第二导电类型的埋层；再在所述外延层表面进行刻蚀并填充形成STI； 通过离子注入形成第二导电类型的第一深阱；然后进行热退火激活； 在所述外延层中形成有源区； 通过光刻胶定义在所述有源区中通过离子注入形成第二导电类型的第二阱区； 在所述外延层的表面形成一层栅介质层，然后在所述栅介质层表面再淀积一层多晶硅层； 第二步，光刻胶定义后对所述多晶硅层进行刻蚀，形成LDMOS器件的栅极； 第三步，重新涂覆光刻胶，定义出体区，打开体区注入窗口通过高能量的离子注入形成LDMOS器件的体区；进行体区注入时光刻胶要包住多晶硅栅极不小于0.1um的范围，防止高能量的离子注入打穿多晶硅层； 第四步，对体区注入窗口的光刻胶进行修饰性刻蚀，露出多晶硅栅极；修饰性刻蚀将体区注入窗口内包住多晶硅栅极的光刻胶进一步去除，使体区注入窗口内的多晶硅栅极全部露出； 第五步，对体区注入窗口再进行低能量的离子注入，然后进行热退火激活；低能量的注入深度小于体区的注入深度，但注入范围大于体区，原光刻胶包住多晶硅栅极所造成的遮挡区域在低能量的注入步骤中被重新注入； 第六步，沉积介质层，刻蚀形成所述多晶硅栅极的侧墙； 第七步，进行重掺杂的离子注入，形成所述LDMOS器件的源区、漏区以及体区引出区；形成接触孔及金属互连，形成最终的MOS器件。

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