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龙图腾网获悉厦门乃尔电子有限公司申请的专利一种硅压阻式压力传感器的温度补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115574989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211225713.9，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种硅压阻式压力传感器的温度补偿电路是由廖灵敏;苏欣宏;柯银鸿;周富强;翁新全;许静玲;刘瑞林设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅压阻式压力传感器的温度补偿电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅压阻式压力传感器温度补偿电路，包括：可调电压基准芯片，具有供电端Vi、输出端Vo、可调整电压引脚ADJ以及接地端GND；所述供电端Vi连接供电电源，输出端Vo连接惠斯通电桥的电源端，所述接地端GND接地；调节电路，由二极管D1、电阻R1和电阻Rf组成，所述二极管D1的阳极连接所述可调电压基准芯片的可调整电压引脚ADJ，阴极则通过电阻R1连接所述可调电压基准芯片的接地端GND；所述电阻Rf的两端分别连接所述可调电压基准芯片的可调整电压引脚ADJ和输出端Vo；即可通过调节所述电阻Rf和所述电阻R1的比值来补偿压力敏感芯体的灵敏度温漂，从而将压力敏感芯体的灵敏度温漂补偿到合格范围。

本发明授权一种硅压阻式压力传感器的温度补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种硅压阻式压力传感器的温度补偿电路，硅压阻式压力传感器的压力敏感芯体的内部结构等效于一个惠斯通电桥，由4个桥臂电阻Ra、Rb、Rc和Rd组成，其中Rb和Rd随输入压力的增大而增大，Ra和Rc随输入压力的增大而减小，S+和S-为惠斯通电桥的输出端，其特征在于：所述补偿电路包括： 可调电压基准芯片，具有供电端Vi、输出端Vo、可调整电压引脚ADJ以及接地端GND；所述供电端Vi连接供电电源，输出端Vo连接惠斯通电桥的电源端，所述接地端GND接地； 调节电路，由二极管D1、电阻R1和电阻Rf组成，所述二极管D1的阳极连接所述可调电压基准芯片的可调整电压引脚ADJ，阴极则通过电阻R1连接所述可调电压基准芯片的接地端GND；所述电阻Rf的两端分别连接所述可调电压基准芯片的可调整电压引脚ADJ和输出端Vo； 则Vo＝VADJ+Rf*VADJ-VD1R1； 通过所述二极管D1使所述可调电压基准芯片的输出端Vo的电压随温度升高而增大，通过调节所述电阻Rf和所述电阻R1的比值来补偿压力敏感芯体的灵敏度温漂。

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