广东中图半导体科技股份有限公司张剑桥获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211284711.7，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片是由张剑桥;康凯;李军建设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片。该凹坑型PSS的重复利用方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括基板以及形成在基板表面上的多个凸起微结构和多个凹坑，凹坑围绕凸起微结构；在图形化衬底上形成一层异质层；图案化异质层，形成多个异质图案结构，异质图案结构一一对应覆盖凸起微结构以及与凸起微结构相邻的凹坑。本发明实施例可以解决PSS产生凹坑后无法继续使用的问题，提高了产品的有效出货率，降低了制造成本。
本发明授权凹坑型PSS的重复利用方法、复合衬底及LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种凹坑型PSS的重复利用方法，其特征在于，包括： 提供图形化衬底，所述图形化衬底包括基板以及形成在所述基板表面上的多个凸起微结构和多个凹坑，所述凹坑围绕所述凸起微结构； 在所述图形化衬底上形成一层异质层； 图案化所述异质层，形成多个异质图案结构，所述异质图案结构一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑； 在所述图形化衬底上形成一层异质层之后，还包括： 涂覆光刻胶，在所述异质层上涂覆形成光刻胶层； 图案化所述异质层，形成多个异质图案结构，所述异质图案结构一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑，包括： 对所述光刻胶层进行曝光显影，形成多个光刻胶胶柱，所述光刻胶胶柱在所述基板所在平面的垂直投影，一一对应覆盖所述凸起微结构以及与所述凸起微结构相邻的所述凹坑在所述基板所在平面的垂直投影； 以所述光刻胶胶柱为掩膜，对所述异质层进行刻蚀，直至所述凸起微结构之间的区域裸露出所述基板表面。
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