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龙图腾网获悉北京华封集芯电子有限公司申请的专利单颗芯片的制备方法及芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310369308.2，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权单颗芯片的制备方法及芯片结构是由赵作明;华菲设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本单颗芯片的制备方法及芯片结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种单颗芯片的制备方法及芯片结构，属于芯片技术领域。所述制备方法包括：提供至少两个裸芯片和散热板；将至少两个裸芯片背面向下以通过界面散热材料层固定在散热板表面的芯片固定区域；通过连接芯片倒装键合至少两个裸芯片的第二组凸点，以形成第一芯片框架；对第一芯片框架进行底部填充；将至少两个裸芯片的第一组凸点倒装贴片至基板的上表面，以形成第二芯片框架；对第二芯片框架进行底部填充；以及在所述基板的下表面制作触点阵列封装，以得到单颗芯片。本发明针对单颗芯片进行设计，避免了大面积制备中芯片移位对芯片键合精度的影响，以及简化了压模、RDL添加、切割等工序。

本发明授权单颗芯片的制备方法及芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种单颗芯片的制备方法，其特征在于，包括依次执行的以下步骤： S1，提供至少两个裸芯片和适于布置所述至少两个裸芯片的散热板100，其中所述裸芯片的正面具有第一组凸点230和高度小于该第一组凸点230的第二组凸点240，且所述裸芯片的背面具有金属镀层，且所述散热板表面通过界面散热材料层110形成芯片固定区域，其中提供散热板100包括：提供平面散热板或具有凹槽的散热板；在所述平面散热板的表面或者所述凹槽的表面设置金属镀层；以及在所述金属镀层上针对每一裸芯片设置由所述界面散热材料层110形成的所述芯片固定区域； S2，将所述至少两个裸芯片背面向下以通过所述界面散热材料层110的键合而固定在所述散热板表面的所述芯片固定区域； S3，通过连接芯片300倒装键合所述至少两个裸芯片的第二组凸点240，以形成第一芯片框架400；所述连接芯片300的高度小于第一组凸点230的第二组凸点240的高度差； S4，对所述第一芯片框架400进行底部填充，形成第一底部填充结构500；所述第一底部填充结构500覆盖所述第二组凸点240； S5，针对底部填充之后的所述第一芯片框架400，将所述第一组凸点230倒装贴片至基板600的上表面，以形成第二芯片框架700； S6，对所述第二芯片框架700进行底部填充，形成第二底部填充结构800；所述第二底部填充结构800的第一部分覆盖所述第一组凸点230，所述第二底部填充结构800的第二部分覆盖所述散热板及所述基板； 以及，S7，针对底部填充之后的所述第二芯片框架700，在所述基板600的下表面制作触点阵列封装，以得到单颗芯片。

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