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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利一种原子层沉积设备的工艺腔机构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311509490.3，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权一种原子层沉积设备的工艺腔机构是由颜欢;张素梅;孔德君;叶雷江设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原子层沉积设备的工艺腔机构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原子层沉积设备的工艺腔机构，包括加热上盖板、加热筒体和加热下盖板，加热下盖板固定在加热筒体的底面上并覆盖加热筒体的底部，加热筒体的顶面固定有加热上盖板并覆盖加热筒体的顶部，所述加热上盖板的底面安装有顶部加热丝，加热下盖板的顶面固定有底部加热丝，加热筒体的内侧壁处安装有竖直螺旋状延伸盘绕的中部加热丝；它在单个装载篮的边部均布多组竖直排列的晶圆，使得其在有限空间中可以加工足够多的晶圆，降低加热筒体的体积，减少空间占用，而且竖直设置，减少横向空间占用，每个托盘底面设有的下导向凹槽可以实现气体导向流动，使反应源气体快速均匀地流经晶圆表面，解决晶圆薄膜工艺的均匀性和效率问题。

本发明授权一种原子层沉积设备的工艺腔机构在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积设备的工艺腔机构，包括加热上盖板10、加热筒体20和加热下盖板30，加热下盖板30固定在加热筒体20的底面上并覆盖加热筒体20的底部，加热筒体20的顶面固定有加热上盖板10并覆盖加热筒体20的顶部，其特征在于：所述加热上盖板10的底面安装有顶部加热丝1，加热下盖板30的顶面固定有底部加热丝3，加热筒体20的内侧壁处安装有竖直螺旋状延伸盘绕的中部加热丝2； 所述加热上盖板10的中部固定有连接座11，连接座11的下部伸出加热上盖板10的底面并固定有晶盘装载篮40，晶盘装载篮40为圆柱状，其插套在加热筒体20中并与加热筒体20相配合，所有晶圆100上下叠置呈多组晶盘组并安装在晶盘装载篮40的边部处，所有晶盘组以晶盘装载篮40的中心轴线为中心均布在晶盘装载篮40的边部处，连接座11的中部竖直通孔中插套有进气连接管12，进气连接管12通过轴承活动连接在连接座11上，进气连接管12的上部伸出连接座11的顶面，进气连接管12的顶板中部通接有向上延伸的进气连接头13，进气连接头13与进气连接管12相通，进气连接管12的底端伸入加热筒体20中并与加热筒体20相通，加热下盖板30的中部成型有出气通孔31，出气通孔31与加热筒体20相通； 所述晶盘装载篮40包括晶盘底板41、晶盘顶板42和多个上下压靠并对齐的托盘43； 所有托盘43相互压靠并夹持在晶盘底板41和晶盘顶板42之间并通过多个螺栓固定连接； 所述托盘43的外侧壁成型有多个弧形凸起部431，弧形凸起部431的顶面至托盘43的边部顶面成型有圆形放置凹槽432，圆形放置凹槽432的外侧伸出弧形凸起部431的外侧壁，待加工的晶圆100插套在对应的圆形放置凹槽432中，晶圆100的底面压靠在圆形放置凹槽432的底面上； 所述托盘43的底面成型有多个下导气凹槽433，下导气凹槽433与对应的下方的圆形放置凹槽432相通并处于对应的下方的圆形放置凹槽432的上方，托盘43的中部成型有中心通孔435，所有托盘43的中心通孔435上下对齐并相通，下导气凹槽433的内端与对应的中心通孔435相通； 托盘43的所有弧形凸起部431和下导气凹槽433以托盘43的中心轴线为中心均布在托盘43上； 所述晶盘底板41的边部处的顶面固定有两个定位杆4，晶盘顶板42和所有托盘43的侧壁处均成型有两个凹槽，所有托盘43的对应的凹槽上下对齐并对应，晶盘顶板42的凹槽与托盘43的对应的凹槽上下对齐并对应，定位杆4插套在所有对应的凹槽中，定位杆4的顶端的螺接部伸出晶盘顶板42的凹槽的顶面并插套有垫圈和螺接有锁紧螺母5，垫圈夹持在锁紧螺母5与晶盘顶板42的顶面之间。

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