上海大学李梦姣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种柔性薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410594149.0，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种柔性薄膜晶体管及其制备方法是由李梦姣;郑浩;张建华设计研发完成，并于2024-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制备技术领域，特别是涉及一种柔性薄膜晶体管及其制备方法，包括：衬底、第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜、PdSe2沟道层、h‑BN介电层和石墨烯薄膜；第一金属薄膜和第二金属薄膜分别设置在衬底中相邻的两个顶角位置处；第三金属薄膜设置在所述衬底的边缘中心位置处，PdSe2沟道层覆盖在第一金属薄膜部分区域、第一金属薄膜与第二金属薄膜之间衬底区域以及第二金属薄膜部分区域；h‑BN介电层覆盖在第一金属薄膜与第二金属薄膜之间PdSe2沟道层区域；石墨烯薄膜覆盖在第一金属薄膜与第二金属薄膜之间h‑BN介电层部分区域和第三金属薄膜部分区域，能够有效提高多次折叠后其转移特性曲线仍表现出良好的稳定性。
本发明授权一种柔性薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述柔性薄膜晶体管包括： 衬底； 第一金属薄膜，设置在所述衬底中第一顶角位置处； 第二金属薄膜，设置在所述衬底中第二顶角位置处；所述第一顶角位置与所述第二顶角位置为所述衬底的相邻顶角位置；所述第一金属薄膜与所述第二金属薄膜之间存在间隙； 第三金属薄膜，设置在所述衬底的边缘中心位置处，所述边缘中心位置为第三顶角位置与第四顶角位置之间的中间位置处；所述第三金属薄膜与所述第一金属薄膜分别和所述第二金属薄膜之间存在间隙； PdSe2沟道层，覆盖在所述第一金属薄膜部分区域、所述第一金属薄膜与所述第二金属薄膜之间衬底区域以及所述第二金属薄膜部分区域； h-BN介电层，覆盖在所述第一金属薄膜与所述第二金属薄膜之间所述PdSe2沟道层区域； 石墨烯薄膜，覆盖在所述第一金属薄膜与所述第二金属薄膜之间所述h-BN介电层部分区域和所述第三金属薄膜部分区域。
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