钰创科技股份有限公司卢超群获国家专利权
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龙图腾网获悉钰创科技股份有限公司申请的专利晶体管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010306915.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权晶体管结构是由卢超群;黄立平设计研发完成，并于2020-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一栅极、一间隔层、一通道区、一第一凹槽、以及一第一导电区。所述栅极位于一硅表面上方。所述间隔层位于所述硅表面上方且至少覆盖所述栅极的一侧壁。所述通道区位于所述硅表面下方。所述第一导电区至少部分地形成于所述第一凹槽内，其中所述晶体管结构旁的一相邻晶体管结构的导电区是至少部分地形成于所述第一凹槽内。相较于现有技术所公开的鳍式结构晶体管，本发明所公开的所述晶体管结构可以减少漏电流。
本发明授权晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体管结构，其特征在于包含： 一硅基板，包含一硅表面； 一栅极，位于所述硅表面上方； 一间隔层，位于所述硅表面上方，其中所述间隔层至少覆盖所述栅极的一侧壁； 一通道区，位于所述硅表面下方； 一第一凹槽，其中所述第一凹槽的底表面低于所述硅表面，一第一绝缘层形成于所述第一凹槽内且覆盖所述第一凹槽的底表面，以及所述第一绝缘层的顶表面低于所述硅表面； 一侧面绝缘层； 一第一导电区，至少部分地形成于所述第一凹槽内且所述第一导电区覆盖所述第一绝缘层，所述第一导电区的底表面接触所述第一绝缘层的顶表面，所述第一绝缘层的顶表面使所述第一导电区的底表面与所述硅基板绝缘，其中所述第一导电区的顶面和部分侧面和一接触区接触，位于所述晶体管结构旁的一相邻晶体管结构的一导电区的顶面以及部分侧面和所述接触区接触，所述接触区与所述侧面绝缘层的侧表面接触，且所述接触区包含一金属材料； 一第二凹槽；以及 一第二导电区，至少部分地形成于所述第二凹槽内。
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