三星电子株式会社权倍成获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112071876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010391513.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁存储器件是由权倍成;金容才;南坰兑;郑求训设计研发完成，并于2020-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件在说明书摘要公布了：一种磁存储器件包括：在基板上的下接触插塞；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间并与磁隧道结图案的底表面接触；以及顶电极，在磁隧道结图案的顶表面上。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。
本发明授权磁存储器件在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器件，包括： 在基板上的下接触插塞； 在所述下接触插塞上的磁隧道结图案； 底电极，在所述下接触插塞和所述磁隧道结图案之间，并与所述磁隧道结图案的底表面接触；以及 顶电极，在所述磁隧道结图案的顶表面上， 其中所述底电极和所述顶电极在第一方向上彼此间隔开，并且其中所述底电极在所述第一方向上的第一厚度是所述磁隧道结图案在所述第一方向上的第二厚度的0.6至1.1倍， 其中所述顶电极在所述第一方向上的第三厚度是所述磁隧道结图案在所述第一方向上的所述第二厚度的1.2至1.9倍，以及 其中所述磁隧道结图案在所述第一方向上的所述第二厚度在从至的范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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