索尼集团公司森胁俊贵获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼集团公司申请的专利摄像元件及其制造方法、层叠型摄像元件和固态摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113544871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080019748.X，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权摄像元件及其制造方法、层叠型摄像元件和固态摄像装置是由森胁俊贵设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像元件及其制造方法、层叠型摄像元件和固态摄像装置在说明书摘要公布了：一种摄像元件包括：通过将第一电极21、由有机材料形成的光电转换层23A、以及第二电极22层叠而形成的光电转换部23。在第一电极21和光电转换层23A之间形成有无机氧化物半导体材料层23B，该无机氧化物半导体材料层23B自第一电极侧起包括第一层23C和第二层23D，并且当与第一电极21和无机氧化物半导体材料层23B之间的界面相距3nm以内的第一层23C的平均膜密度设为ρ1、且第二层23D的平均膜密度设为ρ2时，满足ρ1≥5.9gcm3和ρ1–ρ2≥0.1gcm3。
本发明授权摄像元件及其制造方法、层叠型摄像元件和固态摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像元件，其包括：通过将第一电极、由有机材料形成的光电转换层、以及第二电极层叠而形成的光电转换部， 在所述第一电极和所述光电转换层之间形成有无机氧化物半导体材料层，所述无机氧化物半导体材料层自所述第一电极侧起包含第一层及第二层，所述第二层的厚度大于所述第一层的厚度， 当与所述第一电极和所述无机氧化物半导体材料层之间的界面相距3nm以内的所述第一层的平均膜密度设为ρ1，且所述第二层的平均膜密度设为ρ2时，满足 ρ1≥5.9gcm3以及 ρ1–ρ2≥0.1gcm3， 其中，当所述第一层的平均氧空缺生成能设为EOD-1、且所述第二层的平均氧空缺生成能设为EOD-2时，满足 EOD-1≥2.8eV以及 EOD-1–EOD-2≥0.2eV。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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