力晶积成电子制造股份有限公司黄圣惠获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010729805.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由黄圣惠;张三荣;张立鹏设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有单元区与周边区，包括基板、位线上电容器capacitoroverbitline，COB式动态随机存取存储器DRAM与多次可编程存储器multi‑timeprogrammablememory，MTP。COB式DRAM设置于单元区，并且包括位线以及第一电容器。MTP设置于周边区，并且包括形成于所述基板上的浮置栅极、位于浮置栅极上的第二电容器以及电连接所述浮置栅极与所述第二电容器的至少一接触窗。浮置栅极是与所述位线同时图案化的结构，第二电容器则是与第一电容器同时制作的电容器结构。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有单元区与周边区，其特征在于，所述半导体装置包括： 基板； 位线上电容器capacitoroverbitline，COB式动态随机存取存储器DRAM，设置于所述单元区，所述COB式DRAM包括位线以及第一电容器；以及 多次可编程存储器multi-timeprogrammablememory，MTP，设置于所述周边区，其中所述MTP包括： 浮置栅极，形成于所述基板上，是与所述位线同时图案化的结构； 第二电容器，位于所述浮置栅极上，是与所述第一电容器同时制作的电容器结构；以及 至少一接触窗，电连接所述浮置栅极与所述第二电容器。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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