长江存储科技有限责任公司李倩获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111273216.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件及其制作方法是由李倩;伍术;肖亮设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件的制作方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底第一方向上的堆叠结构、位于衬底和堆叠结构之间的牺牲层以及贯穿堆叠结构并延伸到衬底中的沟道结构，沟道结构包括功能层、沟道层和绝缘层，沟道结构靠近牺牲层的沟道结构端部具有位于绝缘层内的空隙；去除衬底；去除至少部分牺牲层，以暴露沟道结构端部的空隙；在空隙中形成绝缘填充块。通过在空隙中形成绝缘填充块，以避免在后续形成半导体层时，半导体层的材料进入到空隙中，造成电性干扰，从而导致器件电性失效，进而提高器件的良率和可靠性。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底第一方向上的堆叠结构、位于所述衬底和所述堆叠结构之间的牺牲层以及贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的沟道结构，所述沟道结构包括在径向上由外向内依次形成的功能层、沟道层和绝缘层，所述沟道结构靠近所述牺牲层的沟道结构端部具有位于所述绝缘层内的空隙； 去除所述衬底； 去除至少部分所述牺牲层，以暴露所述沟道结构端部的所述空隙； 在所述空隙中形成绝缘填充块，所述绝缘填充块位于至少部分的所述空隙中。
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