台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司杨秀丽获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利存储器器件的控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114255795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011311624.7，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权存储器器件的控制电路是由杨秀丽;万和舟;叶沐阳;孔路平;张铭宏设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件的控制电路在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器器件的控制电路。一种器件包括存储器阵列、位线对、字线、调制电路和控制信号发生器。存储器阵列具有布置在行和列中的多个位单元。每个位线对连接到相应列的位单元。每个字线连接到相应行的位单元。调制电路与至少一个位线对耦合。控制信号发生器与调制电路耦合。控制信号发生器包括跟踪布线，跟踪布线的跟踪长度与字线的深度距离正相关。控制信号发生器被配置为产生控制信号，控制信号参考跟踪长度在第一持续时间内切换到第一电压电平，以用于控制调制电路。还公开了控制上述器件的方法。
本发明授权存储器器件的控制电路在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 存储器阵列，具有布置在行和列中的多个位单元； 多个位线对，每个位线对连接到相应列的位单元； 多个字线，每个字线连接到相应行的位单元； 调制电路，与至少一个位线对耦合；以及 控制信号发生器，与所述调制电路耦合，其中，所述控制信号发生器包括跟踪布线，所述跟踪布线的跟踪长度与所述字线的深度距离正相关，所述控制信号发生器被配置为产生控制信号，所述控制信号参考所述跟踪长度在第一持续时间内切换到第一电压电平，以用于控制所述调制电路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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