索尼半导体解决方案公司弗雷德里克·布雷迪获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利具有共享电路元件的固态摄像装置和摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080059477.0，技术领域涉及：H04N25/47；该发明授权具有共享电路元件的固态摄像装置和摄像装置是由弗雷德里克·布雷迪;普奥里亚·莫斯塔法鲁;米弘毅设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有共享电路元件的固态摄像装置和摄像装置在说明书摘要公布了：一种摄像装置包括多个单位像素，这些单位像素被设置为通过分离结构彼此分开的像素组。各像素组内的单位像素通过分离结构彼此分开并且共享电路元件。像素组之间的分离结构为全厚分离结构。像素组内的单位像素之间的分离结构的至少一部分是深沟槽分离结构。
本发明授权具有共享电路元件的固态摄像装置和摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像装置，其包括： 像素阵列单元，其中，所述像素阵列单元包括多个像素组，其中各像素组包括： 多个单位像素，其中，所述多个单位像素至少包括第一单位像素和第二单位像素； 多个光电转换区域，其中，各单位像素包括至少一个所述光电转换区域； 第一读出电路，其为成像信号生成电路，并选择性地连接到所述多个光电转换区域； 第二读出电路，其为地址事件检测读出电路，并选择性地连接到所述多个光电转换区域； 分离结构，其中，所述分离结构将所述第一单位像素与所述第二单位像素分开，并包括深沟槽分离结构部；和 基板，其中，所述光电转换区域形成在所述基板中，其中，所述基板的第一表面是光入射面，其中，所述基板的第二表面是非光入射面，所述深沟槽分离结构部从所述第一表面处或所述第一表面上方的第一端延伸至朝向所述第二表面形成的第二端，并且其中，所述第一读出电路和所述第二读出电路中至少一者的元件的至少一部分形成在所述分离结构的所述第二端与所述基板的所述第二表面之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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