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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于砷碲化合物的光学相变存储材料、器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210045224.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于砷碲化合物的光学相变存储材料、器件及其制备方法是由张伟;朱乐天;孙苏阳;王疆靖设计研发完成，并于2022-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于砷碲化合物的光学相变存储材料、器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于砷碲化合物的光学相变存储材料、器件及其制备方法，包括砷As元素和碲Te元素，相变材料的化学式为AsxTey，其中1x3,2y4。该相变材料结晶温度高、非晶稳定性好，同时该材料的晶体相与非晶相在可见光范围内的反射率透过率差异较大，有望突破“0”和“1”的二元逻辑识别，在同一器件单元中实现多个光学反射率透过率态的稳定识别。本发明提出的光学相变存储器，包括衬底层、光波导材料层及相变材料层，三种材料层自下而上依次堆叠，其中相变材料层所使用的相变材料为上述砷碲化合物相变材料。基于砷碲化合物光学相变存储材料能够制备出数据保持力强、性能稳定的光学相变存储器件，并有望制备出多值光学相变存储器或类脑计算器件。

本发明授权一种基于砷碲化合物的光学相变存储材料、器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于砷碲化合物的光学相变存储材料，其特征在于，为砷碲化合物相变存储材料，其化学式为AsxTey，其中1x3,2y4； 所述相变存储材料包括非晶相结构，非晶相结构中包含大量同极化学键和五元环结构，所述同极化学键是指由两个同类元素的原子形成的化学键，五元环结构是由共计五个As和Te原子依次成键而形成的首尾相连的环状局部结构； 所述砷碲化合物相变存储材料的晶体相结构包含α晶体相和β晶体相，两相均具有类范德瓦尔斯层状结构，局部结构具有相似性，即原子构型主要为八面体或缺陷八面体；两者的结构差异主要表现为：α晶体相中，一部分的As原子配位数是6，其余As原子处于缺陷八面体中，相邻的Te原子有5个，而在β晶体相中，As原子与6个相邻的Te原子形成配位八面体； 所述砷碲化合物相变存储材料结晶温度高于150℃，非晶稳定性好，在可见光范围内，其β晶体相与非晶相的平均光学反射率透射率对比度超过25%，α晶体相与非晶相的平均光学反射率透射率对比度超过15%； 所述砷碲化合物相变存储材料在激光脉冲作用能够实现非晶相与晶体相的可逆转变，且其光学反射率透过率随之发生变化，在未加载脉冲时其结构与光学反射率透过率能够保持稳定，其中激光脉冲的波长范围为300-1000nm，功率≥5mW，脉宽≥10ns。

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