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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种二极管封装用金属焊接层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111581814.5，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权一种二极管封装用金属焊接层及其制备方法是由李金月;戴晨毅;王勇;林鹏荣;王潮洋;蔺建龙设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二极管封装用金属焊接层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二极管封装用金属焊接层及其制备方法，属于半导体封装技术领域。本发明采用真空磁控溅射技术在二极管内电极表面进行金属焊接层制备，金属焊接层为三层结构，包含粘附层Ti层、阻挡层Ni层和焊接功能层Ag层，结合强度高、致密度好。该金属焊接层可直接与芯片在高温状态下形成有效焊接，实现二极管热阻小、损耗低的封装，解决了高等级二极管封接中的技术难题。

本发明授权一种二极管封装用金属焊接层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管封装用金属焊接层的制备方法，其特征在于，所述金属焊接层位于二极管内电极1表面，为三层结构，其中底层为粘附层Ti层2、中间层为阻挡层Ni层3、表层为焊接功能层Ag层4；所述粘附层Ti层2的厚度为0.1-0.3μm，阻挡层Ni层3厚度为0.2-1.0μm，焊接功能层Ag层4厚度为1.0-5.0μm； 所述制备方法包括如下步骤： S1对二极管内电极进行表面处理； S2把表面处理后的二极管内电极装入真空磁控溅射设备中，进行真空烘烤，真空度需达到5×10-7torr以下，烘烤温度设定在120℃，保温30分钟； S3烘烤时间到达后，通Ar气，稳定后打开离子源，将功率设定在200～300W,进行离子束清洗，清洗5-10分钟； S4利用溅射台溅射方式制备粘附层Ti层2，溅射功率为200-300W，溅射时间为600s-1800s，溅射台自转速度为25转分钟，当时间到达后，停止溅射； S5利用溅射台溅射方式制备阻挡层Ni层3，溅射功率为200W-300W，溅射时间为1000-5000s，溅射台自转速度为25转分钟，当时间到达后，停止溅射； S6利用溅射台溅射方式制备焊接功能层Ag层4，溅射功率为150-230W，溅射时间为3000-5000s，溅射台自转速度为25转分钟，溅射时间到达后停顿600s； S7重复步骤S6，溅射焊接功能层Ag层4两次，溅射完成； S8对制备完成的金属焊接层进行高温考核： 将二极管内电极放置在石墨治具中，然后通过高温烧结炉将温度加热到860-880℃保持5分钟，若二极管内电极无变色、起皮现象，则说明制备的金属焊接层质量合格。

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