吉林华微电子股份有限公司明笑平获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210071209.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法是由明笑平;郭昊鑫;王鹏;滕跃;于博伟设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，通过在金属氧化物半导体场效应晶体管器件的背面注入P型杂质，从而可以降低大电流下金属氧化物半导体场效应晶体管器件的导通电阻，因此能够减少器件工作时产生的热量。
本发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一基板，所述基板包括相背的第一侧和第二侧； 从所述第一侧生长第一氧化层，并通过光刻的方式形成横向变掺杂所需的图形； 基于所述第一氧化层进行终端掺杂，并进行推结和氧化，形成第二氧化层； 从所述第一侧光刻形成源区所需图形，并进行磷注入； 从所述第一侧通过干氧扩散形成栅极氧化层； 在氮气环境下进行结型场效应晶体管区域推结； 进行多晶淀积，并通过三氯氧磷进行激活； 从所述第一侧通过光刻和或干法刻蚀形成源区及横向变掺杂终端的多晶场边图形； 从所述第一侧针对源区进行硼注入，并进行P阱光刻和注入； 从所述第一侧进行N型杂质注入； 从所述第一侧淀积第三氧化层和硼磷硅玻璃； 从所述第一侧通过光刻形成贯穿所述第三氧化层和硼磷硅玻璃的接触孔； 从所述第一侧淀积形成铝金属层，并对所述铝金属层进行光刻形成预设图案； 在所述基板的第二侧通过光刻形成设定图案； 从所述基板的第二侧注入P型杂质，并在氮气和氢气氛围下的进行激活； 在所述基板第二侧蒸发金属； 所述从所述基板的第二侧注入P型杂质，并在氮气和氢气氛围下的进行激活的步骤，包括： 从所述基板的第二侧注入设定剂量的硼，并在450℃的氮气和氢气的混合气体氛围下进行30分钟的激活处理。
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