成都信息工程大学唐婷婷获国家专利权
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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利基于受抑全反射光自旋霍尔效应手性分子鉴别系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114509410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110934608.1，技术领域涉及：G01N21/55；该发明授权基于受抑全反射光自旋霍尔效应手性分子鉴别系统及方法是由唐婷婷;王莹莹;李朝阳;罗莉;梁潇;沈柯;肖佳欣设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于受抑全反射光自旋霍尔效应手性分子鉴别系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于受抑全反射光自旋霍尔效应手性分子鉴别系统，依次包括前置选择光路、增强芯片结构、后置选择光路以及电耦合元件CCD，通过该光路增强光自旋霍尔效应，使CCD可以捕捉到光斑，并能够读取出自旋横移值，同时提出一种基于受抑全反射光自旋霍尔效应手性分子鉴别方法，利用鉴别系统读取到的光强数据中的光自旋横移值，并根据光自旋横移值求解旋光角度，然后计算的旋光角度求解手性分子溶液的比旋度，并根据所计算的手性分子溶液的比旋度得到对应的分子材料的类别，通过本方法适用于所有手性分子溶液的鉴别。
本发明授权基于受抑全反射光自旋霍尔效应手性分子鉴别系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于受抑全反射的光自旋霍尔效应手性分子鉴别系统，其特征在于，依次包括前置选择光路、增强芯片结构、后置选择光路以及电耦合元件CCD； 所述前置选择光路用于调节反射光束光强在所述电耦合元件CCD的接收信号可承受范围内； 所述增强芯片结构用于增强反射光束的光自旋霍尔效应； 所述后置选择光路用于放大光束经增强芯片结构反射之后的自旋分裂并对反射光准直； 所述电耦合元件CCD用于定位光斑并读取接收光强的数据； 所述前置选择光路和增强芯片结构之间放置标准比色皿，所述标准比色皿内部盛装待测试样本，所述增强芯片结构包括： TiO2Al2O3SiAl2O34TiO2、Al2O3SiO2TiO2SiO27Al2O3、SF11MgF2TiO2MgF26SF11中的一种，用于调整增强芯片结构中S波和P波的反射系数的比值。
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