西安交通大学耿莉获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210192806.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺是由耿莉;杨松泉;杨明超;王梦华;刘卫华;郝跃设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺，将带有Si3N4介质钝化层的衬底样品垂直放置到反应容器内；向反应容器内充入去离子水并密封；控制压强，向反应容器内充入CO2或N2O超临界气体；对反应容器进行升温升压处理，然后保压，使反应容器内部为超临界状态；保持超临界状态处理，对反应容器进行降压处理，并保持在20～22MPa的超临界处理条件；反应结束后，对反应容器进行降温处理，当压力降低至大气压后取出。本发明在低温高压下钝化Si3N4介质层内陷阱和界面态，且操作简单方便，避免高温退火工艺过程带来的问题，从而改善Si3N4介质层质量，提升击穿电场，降低泄漏电流密度。
本发明授权一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、将带有Si3N4介质钝化层的衬底样品垂直放置到反应容器内； S2、向反应容器内充入去离子水并将反应容器密封； S3、控制压强，向步骤S2密封后的反应容器内充入CO2或N2O超临界气体； S4、对步骤S3充入CO2或N2O超临界气体的反应容器进行升温升压处理，然后保压，使反应容器内部为超临界状态； S5、保持步骤S4的超临界状态处理，对反应容器进行降压处理，并保持在20~22MPa的超临界处理条件； S6、步骤S5反应结束后，对反应容器进行降温处理，当压力降低至大气压后取出，氮化硅介质钝化层的击穿电场为5.02~6.54MVcm，氮化硅的漏电流密度为8×10-7~2×10-6Acm2。
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