京东方科技集团股份有限公司赵坤获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210259414.0，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置是由赵坤;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;黄杰;贺家煜;李菲菲设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置，薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极，栅极包括层叠设置的铝合金层和辅助层，辅助层的材料选自TiN或Ti，辅助层的厚度为10nm‑60nm。本申请提供薄膜晶体管，具有低电阻且无hillock问题的栅极，从而有利于提高显示面板和显示装置的显示性能。
本发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：设置有源层、源极、漏极和栅极；所述栅极由层叠设置的铝合金层和辅助层组成，所述栅极的制备方法包括以下步骤：在铝合金层的表面上形成辅助层得到所述栅极，所述辅助层的材料选自TiN，所述辅助层的厚度为10nm-60nm； 所述在铝合金层的表面上形成辅助层的步骤包括：在铝合金层的表面上通过等离子溅射沉积法形成辅助层，其中，所述等离子溅射沉积法采用的保护气体为氮气和氩气的混合气体；所述氮气的体积浓度为50％-85％。
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