长江存储科技有限责任公司罗佳明获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210241509.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其形成方法是由罗佳明;请求不公布姓名;伍术;艾义明;祝君龙;高林;施继雄;高晶;朱宏斌;刘修忠设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维存储器及其形成方法。三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供衬底；形成位于衬底上方的第一牺牲层、位于第一牺牲层上方的堆叠层、以及至少贯穿堆叠层和第一牺牲层的沟道孔；形成第二牺牲层于沟道孔的底部，使得第二牺牲层的顶面位于衬底的顶面之上且位于第一牺牲层的顶面之下、第二牺牲层的底面位于衬底的顶面之下；形成存储结构于沟道孔内的第二牺牲层之上；去除衬底和第二牺牲层；去除部分存储结构和部分的第一牺牲层，残留的第一牺牲层形成隔离层；形成覆盖隔离层、并与存储结构电连接的半导体层。本发明简化了三维存储器的制程工艺，降低了三维存储器的制造成本，且提高了存储结构深度的均匀性。
本发明授权三维存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 形成位于所述衬底上方的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层上方的堆叠层、以及至少贯穿所述堆叠层和所述第一牺牲层的多个沟道孔； 于每一所述沟道孔的底部形成一第二牺牲层，使得所述第二牺牲层的顶面位于所述衬底的顶面之上且位于所述第一牺牲层的顶面之下、所述第二牺牲层的底面位于所述衬底的顶面之下； 形成存储结构于所述沟道孔内的所述第二牺牲层之上； 去除所述衬底和所述第二牺牲层，暴露部分所述存储结构； 去除部分所述存储结构和部分的所述第一牺牲层，残留的所述第一牺牲层形成隔离层，多个剩余所述存储结构中的所述沟道层的底面之间存在高度差； 形成直接覆盖所述隔离层、并与所述存储结构电连接的半导体层。
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