国际商业机器公司张辰获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利堆叠的垂直晶体管存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076297.3，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权堆叠的垂直晶体管存储器单元是由张辰;山下典洪;程慷果;吴恒设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠的垂直晶体管存储器单元在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括堆叠的晶体管存储器单元。所述堆叠的晶体管存储器单元包括含有多个底部晶体管的底部层级，所述多个底部晶体管包括至少一个非浮置晶体管和至少一个浮置晶体管。所述至少一个浮置晶体管具有与所述堆叠的晶体管存储器单元的其他晶体管电断开的至少一个端子。所述堆叠的晶体管存储器单元还包括含有至少一个顶部晶体管的顶部层级，以及交叉耦合部，所述交叉耦合部包括外延区域epi连接部和在所述顶部层级与所述底部层级之间的和栅极到epi连接部。
本发明授权堆叠的垂直晶体管存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 堆叠的垂直晶体管存储器单元，所述堆叠的垂直晶体管存储器单元包括： 底部层级，所述底部层级包括多个底部晶体管，所述多个底部晶体管包括至少一个非浮置晶体管和至少一个浮置晶体管，所述多个底部晶体管中的每一个底部晶体管均具有合并的顶部源极漏极外延区域epi，所述至少一个浮置晶体管具有与所述堆叠的垂直晶体管存储器单元的其他晶体管电断开的至少一个端子； 顶部层级，所述顶部层级包括至少两个顶部晶体管，每一个所述顶部晶体管均具有合并的底部源极漏极epi；以及 交叉耦合部，所述交叉耦合部包括epi连接部和在所述顶部层级与所述底部层级之间的栅极到epi连接部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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